RELUNG.ID – SK hynix hari ini memperkenalkan flash NAND UFS 4.1 TLC 321 lapis pertama di dunia untuk smartphone generasi berikutnya.
Chip penyimpanan canggih ini dirancang membawa kecepatan lebih tinggi, efisiensi daya lebih baik, dan ketebalan yang lebih tipis memastikan waktu boot lebih cepat dan performa AI optimal di ponsel berdesain ramping.
Dibandingkan dengan generasi sebelumnya (yang menggunakan desain 238 lapisan) dari tahun 2022, chip penyimpanan baru ini memiliki kecepatan baca acak 15 persen lebih tinggi dan kecepatan tulis acak 40 persen lebih tinggi.
Untuk pembacaan berurutan, mereka memaksimalkan antarmuka pada 4,3GB/s.
Selain itu, paket NAND memiliki ketebalan 0,85mm, turun dari 1mm. Kedengarannya tidak banyak, tetapi setiap hal kecil akan sangat membantu jika ponsel seperti Galaxy S25 Edge menjadi populer.
Selain tren terbaru, desain UFS 4.1 321-lapisan yang baru 7% lebih hemat daya daripada generasi sebelumnya – lebih sedikit panas dan lebih banyak kinerja selalu menjadi tren.
SK hynix mengatakan bahwa kecepatan baca berurutan akan meningkatkan performa AI pada perangkat (karena akan mempercepat pemuatan model ke RAM), sementara performa acak yang ditingkatkan akan meningkatkan multitasking.
Perusahaan ini akan memproduksi penyimpanan dalam dua kapasitas 512GB dan 1TB. Benar, tidak akan ada varian 256GB, jadi ini akan menjadi sesuatu yang perlu diperhatikan saat memilih ponsel Anda berikutnya (seperti bagaimana model 128GB menggunakan UFS 3.1 sekarang).
Namun, itu adalah masalah untuk tahun depan, SK hynix mengatakan bahwa mereka berharap untuk memenangkan pesanan dari para pembuat ponsel pintar tahun ini dan mulai mengirimkannya dalam jumlah besar dalam tiga bulan pertama tahun depan.
Bukan hanya smartphone, perusahaan ini juga sedang mengerjakan desain 321-lapisan untuk SSD bagi konsumen dan pusat data. (LWM)
